半導體芯片的冷熱沖擊試驗方法

1. 根據(jù)產(chǎn)品使用環(huán)境確定試驗溫度。
2. 試件暴露于極值溫度的持續(xù)時間應為半導體芯片的實際工作時間或溫度穩(wěn)定的時間。GJB 150中規(guī)定持續(xù)時間一般為1h，或者是溫度達到穩(wěn)定的時間，當溫度穩(wěn)定的時間超過1h，則使用溫度穩(wěn)定時間。
3. 轉(zhuǎn)換時間與溫度變化速率，GJB 要求會比 GB 要求更為嚴苛。例如，GJB 150A 中要求轉(zhuǎn)換時間盡可能短，轉(zhuǎn)換時間要求不大于1min ,溫度變化速率小于3℃/min，如果因為試樣尺寸過大，導致時間超過 1min ，應說明合理性。

半導體芯片冷熱沖擊方法

• 將試件芯片通電置于置物架上；

• 根據(jù)要求設定試驗溫度；

• 首先對試件進行低溫試驗，再進行高溫試驗，循環(huán)次數(shù)依要求進行；

• 記錄半導體芯片工作狀態(tài)下，在設定溫度下的相關(guān)參數(shù), 對產(chǎn)品分析, 工藝改進以及批次的定向品質(zhì)追溯提供確實的數(shù)據(jù)依據(jù)。

冷熱沖擊方向選擇

試件從低溫或是高溫試驗開始，不同標準有不同的解析。若試驗從低溫段開始，試驗結(jié)束在高溫段；若試驗從高溫段開始，結(jié)束在低溫段。為防止試件在試驗結(jié)束后表面產(chǎn)品凝露，試驗結(jié)束在低溫段時需要增加烘干恢復的過程，這樣就增加了試驗周期，建議試驗從低溫段開始，結(jié)束在高溫段。